1、灵敏度远高于其它同类拉曼谱仪，模块化设计，波长可任意选择，配置灵活，升级容易。

2、仪器精度和重复性比市场同类光谱仪提高了一个数量级，所有马达带动的机械传动部件均采用光栅尺自动反馈控制。

3、可一次连续扫描大范围的光谱()，无需接谱，无需使用低分辨率光栅。

4、受保护的的显微共焦设计系统，可连续调节共焦深度，并大大提高了仪器的光通量和稳定性。

5、受保护的拉曼或荧光信号整体一次直接成像，迅速获得材料的空间分布。

6、与多种扫描探针显微镜（SPM）联用，如AFM、SNOM、CLSM等，可同时获取微区原位的形貌、结构和化学的信息。

 

共聚焦拉曼光谱仪优势：

1.高分辨：

共聚焦拉曼光谱仪具有800毫米的光谱仪焦长，其所能达到的分辨率约为标准300毫米焦长拉曼谱仪的3倍，比250毫米焦长的老式设计拉曼谱仪更高。从下图可以清楚地看到，用高分辨率系统采集的谱图有更多的数据点，在进行微小的拉曼峰移分析时，比短焦长系统准确的多。同样，用HR系统能更准确地给出拉曼谱峰的峰形这一重要的参数，峰位和峰形都能表征重要的样品变化。 

 

2.*的灵活性： 

共聚焦拉曼光谱仪另一个*的优势就是可在系统中配备一个附加出口。用双出口选项，可多配备一个红外 InGaAs阵列，ICCD， PMT或其它专业单道探测器。实际上，该系统有很宽的激光光源适应能力和多探测器选项，能提供很宽的光谱范围或进行时域分析。 

近红外探测器对于 在 830纳米或 1064纳米激发下的发光测量（例如对于半导体材料）和拉曼分析等特别有用。这两种应用下的光谱都在标准硅器件 CCD探测器的测量范围之外，例如，一些重要的 III－ V族半导体材料的重要信息在 1100纳米和 1300纳米区域，不在硅器件的敏感探测区。用其它的探测器（如 InGaAs或 Ge探测器）， 就很容易实现这个区域的测量. 

 

3.应力引起的拉曼位移： 

共聚焦拉曼光谱仪是一种理想的应用测量工具。左图中 固体相硅应力拉曼分析表明可识别出 0.3cm-1 的拉曼峰移。半导体器件中的新型SOI和SiGe薄膜具有类似的小峰位和峰形改变，非常适合用共聚焦拉曼光谱仪进行测量。