| 华中科技大学冯哲川教授:科学探索与国家发展共进-北京卓立汉光仪器有限公司
技术支持

您现在的位置:首页  >  技术文章  >  访谈专稿 | 华中科技大学冯哲川教授:科学探索与国家发展共进

访谈专稿 | 华中科技大学冯哲川教授:科学探索与国家发展共进
更新时间:2024-10-25浏览:217次

2024年,卓立汉光迎来成立25周年的重要时刻,为回馈广大用户的支持与厚爱,公司特别推出“卓立汉光25周年系列活动"。其中,视点前沿名人专访成为系列活动的一大亮点,旨在通过卓立汉光的平台,让更多人了解光电前沿技术与人物,推动光电行业的发展。

在冯教授那充满智慧与经验的访谈中,一场关于科研梦想、学术探索与未来科技蓝图的对话即将拉开帷幕。我们将跟随镜头,聆听冯教授如何在科研的日日夜夜中,不断突破科学边界,推动技术创新的步伐。同时,冯教授还将分享他对科研成果产业化的独到见解以及科技前沿的无限可能。

科研逐梦路:求学、职业旅程与科研风采

冯教授的学术旅程丰富多彩,从北京大学物理系本科到美国匹兹堡大学博士,再到亚特兰大的Georgia Institute of Technology从事博士后研究,他的足迹遍布全球。冯教授在宽禁带半导体材料领域深耕多年,对氧化锌、碳化硅等材料体系有着深入的研究。在访谈中,冯教授分享了他的求学经历和研究经历,以及他在科研道路上的心得体会。

谈科研成果转化:从理论到实践的跨越与策略

冯哲川教授就科研成果的转化问题表达了自己的深刻见解与未来规划。他强调,科研成果的转化不仅是学术研究的自然延伸,更是推动科技进步、促进社会经济发展的关键力量。 冯教授指出,科研人员应当超越单纯追求论文发表的局限,致力于将研究成果转化为具有实际应用价值的产品或服务。他分享了自己在广西大学期间,如何通过与卓立汉光合作,推动光电子领域研究工作的发展。

详解宽禁带半导体材料在科技领域的实际应用与创新

在深入探讨其研究领域时,冯教授详细阐述了宽禁带半导体材料如何在实际科技领域中发挥重要作用,并分享了数个具体案例,展现了这些材料在提升科技应用性能方面的巨大潜力。 冯教授特别提到了卓立汉光等企业提供的高性能光谱仪在研究中发挥的关键作用,这些设备为他们的研究工作提供了强有力的支持。

国产仪器科研设备:从跟跑到领*的自主创新之路

冯教授强调,国产科研设备的自主研发和创新是推动科技进步的关键。 他认为,国产仪器企业的目标不仅是跟随国际步伐,更要逐步实现并跑乃至领*,让“卡脖子"技术成为过去式。冯教授对卓立汉光的各类光谱仪给予了高度评价,并建议公司向海外推广这些产品,以满足全球科研和产业的需求。

卓立汉光 25 周年祝福语期望

值此卓立汉光成立二十五周年的重要时刻,冯哲川教授作为长期合作伙伴与用户,向卓立汉光送上了诚挚的祝福与深切的期望。冯教授衷心祝愿卓立汉光在二十五年的基础上,百尺竿头更进一步,迈向更加辉煌灿烂的未来。

采访感言:

深感荣幸能聆听到冯哲川教授分享的宝贵经验和独到见解,坚信在不久的将来,卓立汉光将与科研人共同见证国产科技在这片领域绽放出的璀璨光芒,体验更多由创新引*的奇迹。

教授简介

冯哲川,男,博士,华中科技大学访问教授,博士生导师。冯哲川教授一直从事半导体生长、半导体工艺、器件制备及测试、半导体激光及波导光学的相关研究和教学工作.1988年至1992年冯教授在Emory大学任教,1992年至1994年在Singapore国立大学工作,1995年在美国乔治亚理工学院,1995年至1997年在EMCORE公司,1998年至2001年在Singapore材料研究及工程学院,2001年至2002年在Axcel光子公司,2002至2003年在美国乔治亚理工学院工作。在每个地方冯教授都获得了丰硕的成果。自2003年8月起,冯教授成为中国台湾大学光电所暨电机系的教授,现在的研究主要着重在MOCVD的生长和氮化物、ZnO和SiC宽带隙半导体的研究,其中也包括III-V材料和纳米材料/器件的研究。出版了六本关于先进化合物半导体材料和微观结构、多孔硅、碳化硅和三价氮化物的外文书.发表文章300余篇,一半被SCI收录,被引用次数超过1200次。

北京卓立汉光仪器有限公司 版权所有    备案号:京ICP备05015148号-4

技术支持:化工仪器网    管理登陆    网站地图

联系电话:
010-5637 0168-696

微信服务号

Baidu
map