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常温型铟镓砷探测器（InGaAs）
| 型号/参数 | DInGaAs1600 | DInGaAs1650 | DInGaAs1700-R03M | DInGaAs1700 | DInGaAs2600 |
| 光敏面直径（mm） | 1.5 | 5 | 3 | 5 | 3 |
| 波长范围（nm） | 900-1600 | 900-1650 | 800-1700 | 800-1700 | 800-2600 |
| 峰值响应度（A/W, 小） | 0.85 | 0.85 | 0.9 | 0.95 | 1.1 |
| 暗电流（nA, 大） | 0.1 | 200 | 100 | 10μA | 1mA |
| D*（典型值） | - | - | 2.3×1012 | 9.6×1011 | 4.1×1010 |
| NEP（典型值） | - | - | 1.2×10-13 | 2.8×10-13 | 6.5×10-12 |
| 阻抗（MΩ） | 30 | 1 | 1.5 | 50kΩ | 320Ω |
| 电容（pF） | 80 | 1500 | 800 | - | 9000 |
| 响应时间（ns） | 8 | 160 | 100 | 300 | 1μs |
| 信号输出模式 | 电流 | 电流 | 电流 | 电流 | 电流 |
| 输出信号性 | 正（P） | 正（P） | 正（P） | 正（P） |
| 型号/参数 | DInGaAs1700-TE | DInGaAs1900-TE | DInGaAs2200-TE | DInGaAs2400-TE | DInGaAs2600-TE |
| 光敏面直径（mm） | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 波长范围（nm） | 800-1700 | 800-1900 | 800-2200 | 800-2400 | 800-2600 |
| 峰值响应度（A/W） | 0.9 | 1 | 1.1 | 1.15 | 1.2 |
| D*（典型值） | 8.4×1013 | 9.1×1012 | 1.9×1012 | 9.6×1011 | 4.9×1011 |
| NEP（典型值） | 3.2×10-15 | 2.9×10-14 | 1.4×10-13 | 2.8×10-13 | 5.5×10-13 |
| 温控器型号 | ZTC | ZTC | ZTC | ZTC | ZTC |
| 探测器温度（℃） | -40 | -40 | -40 | -40 | -40 |
| 温度稳定度（℃） | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 |
| 环境温度（℃） | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 |
| 信号输出模式 | 电流 | 电流 | 电流 | 电流 | 电流 |
| 输出信号性 | 正（P） | 正（P） | 正（P） | 正（P） | 正（P） |
| 备注 | 制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC） 推荐使用前置放大器型号：ZPA-7 | ||||
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